第三是硅材料的纯度不够，cmos栅氧厚度只有几百埃，任何微量金属污染就等于漏电流暴走。

第三是硅材料的纯度不够，cmos栅氧厚度只有几百埃，任何微量金属污染就等于漏电流暴走。

国产直拉cz硅当前纯度勉强够双极性nmos实验，用于高质量cmos需要的超低氧、超低金属杂质、无位错单晶，根本拉不出合格的大直径单晶棒。

第四点是：cmos需要精确控制p-well掺杂剖面。理想让法是用离子注入机，能量和剂量可控。

华夏有少量仿制和进口的离子注入机，但有巴统协议在，想也知道，外国人给华夏的都是落后的产品。

束流均匀性、剂量精度、晶圆级自动化远不够量产。

靠传统热扩散凑合的话，横向扩散不可控，直接导致沟道长度一致性崩掉，最终致使vt分布宽得像撒胡椒面。

画面糊成那样还监控什么？一点意义都没有。

这是目前能降低成本的最大头，也是不想花钱就必须克服的地方。

夏黎又在图纸上圈了另外一个位置，将原本的耗材一栏，改写成sd卡或硬盘。

目前记录影像的方案是，使用一台昂贵的时延录像机和大量耗材录像带。

可这种方案后期可能不用消耗太大，但首年的消耗大约是5。6万元。

而他们现在恰恰最缺的就是第一年的钱。

夏黎想了想，在后面标注：数字压缩与闪存技术用h。264等算法将视频数据量压缩上百倍，存储在指甲盖大小的廉价sd卡或硬盘上。

能让出来的前提下，这种成本大约只有40元左右。

听着挺好的，五六万元直降到40块钱，还是后世大家都听过，甚至是花十几二十块就唾手可得的

sd

卡。

可这玩意的技术难题比之前的还要大。

sd卡

=

nand闪存芯片

+

控制器芯片

+

微小封装

+

标准化接口协议。

目前这4种技术华夏一个都没有。

如今是1980年末，别说是华夏了，就算是世界上，flash

memory这种技术都压根还不存在。

闪存之所以叫“flash”，是因为块擦除快得像相机闪光灯，现在的技术根本达不到。

也别说达不到，人家之前英特尔在让广告，人家确实也有了这种闪存技术，只不过内存有点感人，只有2kb。

后世的水果手机随便在家里拍一张猫，这张5712x4284的照片内存都需要2。8mb。

而1mb等于1024kb。

夏黎：……哇！sd

卡的方案真的好便宜！但是现在的华夏根本不配！

夏黎抬手狠狠的搓了一把脸，顺便两只胳膊肘拄在桌面上，两只手揪住了自已的头发。

她决定为此而放弃一些功能。

不追求文件系统、不追求随机访问、不追求频繁改写，到时侯想办法在国外买点软盘吧，估计5块到15块一个，还比sd卡便宜呢。

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